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硅单晶抛光片产品信息
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拉晶方式
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Cz/MCZ
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导电类型
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N
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P
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掺杂剂
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Ph
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B
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直径
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3"
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4"
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5"
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6"
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3"
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4"
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5"
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6"
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直径偏差(mm)
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±0.5
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±0.5
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±0.5
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±0.5
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±0.5
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±0.5
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±0.5
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±0.5
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晶向
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<111>±1°/ <100>±1°
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<111>±1°/ <100>±1°
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氧含量
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≤1.8E18 atoms/cm3
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碳含量
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≤5E16 atoms/cm3
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体少子寿命
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≥100us
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位错密度
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≤100/cm2
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漩涡
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无
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主参考面
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（110）±1°或协商
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主参考面长度(mm)
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22.5±2.5
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32.5±2.5
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42.5±2.5
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52.5±2.5
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22.5±2.5
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32.5±2.5
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42.5±2.5
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52.5±2.5
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副参考面
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按国标执行或协商执行
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倒角
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R22°
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电阻率
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0.0015-80 ohm.cm
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0.001-60 ohm.cm
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研磨片厚度(μm)
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300-850 μm
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厚度公差(μm)
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±10
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±10
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±10
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±10
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±10
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±10
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±10
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±10
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TTV(μm)
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≤10
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≤10
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≤10
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≤10
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≤10
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≤10
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≤10
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≤10
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WARP(μm)
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≤30
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≤40
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≤40
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≤50
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≤30
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≤40
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≤40
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≤50
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总不平整度（TIR)(μm)
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≤5
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≤5
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≤5
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≤5
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≤5
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≤5
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≤5
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≤5
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表面状态
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单面抛光，背面酸或碱腐蚀、外吸杂处理由双方协商
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表面颗粒（个/片）
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6
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10
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10
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15
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6
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10
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10
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15
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其它参数
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客户有特殊要求时可协商确定各质量参数
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硅锭
