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硅单晶抛光片

硅单晶抛光片


硅单晶抛光片产品信息

拉晶方式

Cz/MCZ

导电类型

N

P

掺杂剂

Ph

B

直径

3"

4"

5"

6"

3"

4"

5"

6"

直径偏差(mm)

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

±0.5

晶向

<111>±1°/  <100>±1°

<111>±1°/  <100>±1°

氧含量

≤1.8E18 atoms/cm3

碳含量

≤5E16 atoms/cm3

体少子寿命

≥100us

位错密度

≤100/cm2

漩涡

主参考面

(110)±1°或协商

主参考面长度(mm)

22.5±2.5

32.5±2.5

42.5±2.5

52.5±2.5

22.5±2.5

32.5±2.5

42.5±2.5

52.5±2.5

副参考面

按国标执行或协商执行

倒角

R22°

电阻率

0.0015-80 ohm.cm

0.001-60 ohm.cm

研磨片厚度(μm)

300-850 μm

厚度公差(μm)

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

±10

TTV(μm)

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10

≤10

WARP(μm)

≤30

≤40

≤40

≤50

≤30

≤40

≤40

≤50

总不平整度(TIR)(μm)

≤5

≤5

≤5

≤5

≤5

≤5

≤5

≤5

表面状态

单面抛光,背面酸或碱腐蚀、外吸杂处理由双方协商

表面颗粒(个/片)

6

10

10

15

6

10

10

15

其它参数

客户有特殊要求时可协商确定各质量参数

上一页硅单晶研磨片
下一页硅单晶锭

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